Модуль перешкод 500–600 МГц 50W GaN | Підсилювач перешкод | РЕБ антидрон модуль SMA

Модуль подавлення сигналу 500–600 МГц 50 Вт на GaN транзисторі з циркулятором. RF jammer для систем РЕБ, антидрон комплексів та придушення LoRa і телеметричних каналів.

Модуль перешкод діапазону 500–600 МГц 50 Вт — це високоефективний RF jamming модуль на GaN транзисторі, призначений для генерації радіочастотних перешкод у системах РЕБ, антидрон комплексах та системах придушення бездротових каналів зв’язку.

Підсилювальний каскад побудований на GaN транзисторі, що забезпечує високу ефективність, стабільну роботу на високій потужності та мінімальні теплові втрати. Модуль формує потужний сигнал перешкод у частотному діапазоні 500–600 МГц, який використовується для різних систем бездротової передачі даних та телеметрії. Для стабільної роботи RF тракту модуль оснащений вбудованим циркулятором, який захищає підсилювач від відбитої потужності та забезпечує стабільну роботу при підключенні антени або навантаження.

Модуль також використовує LoRa контролер на 32-бітному ARM мікропроцесорі (MCU), що дозволяє забезпечити стабільну генерацію сигналу та керування режимами роботи.

Технічні характеристики:

• Тип пристрою: RF модуль глушіння сигналу (Jamming)
• Робочий діапазон: 500–600 МГц
• Вихідна потужність: 50 Вт
• Тип транзистора: GaN (Gallium Nitride)
• Захист RF тракту: циркулятор
• Контролер: LoRa 32-bit ARM MCU
• RF роз'єм: SMA Female
• Живлення: DC 24–28 В
• Струм споживання: 3.5–3.8 А
• Розміри: 20 × 38 × 110 мм
• Вага: 180 г