Модулі перешкод (GaN)
Модулі перешкод на базі GaN-транзисторів призначені для використання у складі систем радіоелектронної боротьби (РЕБ) та антидронового захисту. Завдяки технології GaN забезпечується висока вихідна потужність, стабільна робота на високих частотах та ефективне тепловідведення. Модулі застосовуються для придушення каналів керування, навігації та передачі даних безпілотних літальних апаратів (БПЛА), FPV-дронів і телеметричних систем.
- -4%
Готово до відправки12 000 ₴11 500 ₴
Модулі перешкод GaN підходять для інтеграції у стаціонарні та мобільні комплекси РЕБ.
Висока енергоефективність GaN-технології дозволяє зменшити теплові втрати та підвищити надійність роботи обладнання при тривалому навантаженні. Доступні конфігурації з різною вихідною потужністю та діапазонами частот.
Можливий інженерний підбір рішень під технічне завдання замовника.
| Параметр | GaN (Gallium Nitride) | LDMOS |
| Щільність потужності | Вища (більше Вт на площу кристалу) | Середня |
| Енергоефективність | Висока | Помірна |
| Робота на високих частотах | Оптимально для ВЧ діапазонів (> 1 ГГц) | Краще для нижчих та середніх діапазонів |
| Теплові характеристики | Менші теплові втрати, краща ефективність | Стандартні |
| Габарити при однаковій потужності | Компактніше рішення | Більші габарити |
| Стабільність при тривалому навантаженні | Висока (за умови належного охолодження) | Стабільна, залежить від реалізації |
| Вартість | Вища | Нижча |
Коли обирати GaN?
- при роботі у високочастотних діапазонах (1–5.8 ГГц)
- коли важлива компактність та щільність потужності
- для мобільних або багатоканальних рішень
Коли достатньо LDMOS?
- для середніх частотних діапазонів
- при обмеженому бюджеті
- для стандартних RF-завдань
У нашому каталозі представлений широкий асортимент модулів для інтеграції у RF-комплекси різного призначення. Для постійних клієнтів передбачені індивідуальні умови співпраці та знижки.





















