Модули помех (GaN)
Модули помех на базе GaN-транзисторов предназначены для использования в составе систем радиоэлектронной борьбы (РЕБ) и антидроновой защиты. Благодаря технологии GaN обеспечивается высокая выходная мощность, стабильная работа на высоких частотах и эффективный теплоотвод. Модули применяются для подавления каналов управления, навигации и передачи данных беспилотных летающих аппаратов (БПЛА), FPV-дронов и телеметрических систем.
Модули помех GaN подходят для интеграции в стационарные и мобильные комплексы РЕБ.
Высокая энергоэффективность GaN-технологии позволяет уменьшить тепловые потери и повысить надежность работы оборудования при длительной нагрузке. Доступные конфигурации с разной выходной мощностью и диапазонами частот.
Возможен инженерный подбор решений под техническую задачу заказчика.
| Параметр | GaN (Gallium Nitride) | LDMOS |
| Плотность мощности | Выше (более Вт на площадь кристалла) | Средний |
| Энергоэффективность | Висока | Умеренная |
| Работа на высоких частотах | Оптимально для ВЧ диапазонов (> 1 ГГц) | Лучше для более низких и средних диапазонов |
| Тепловые характеристики | Меньшие тепловые потери, лучшая эффективность | Стандартные |
| Габариты при одинаковой мощности | Компактнее решение | Больше габариты |
| Стабильность при длительном нагрузке | Высокая (при условии надлежащего охлаждения) | Стабильная, зависит от реализации |
| Стоимость | Выше | Нижча |
Коли обирати GaN?
- при работе в высокочастотных диапазонах (1–5.8 ГГц)
- когда важна компактность и плотность мощности
- для мобильных или многоканальных решений
Когда достаточно LDMOS?
- для средних частотных диапазонов
- при ограниченном бюджете
- для стандартных RF-задач
В нашем каталоге представлен широкий ассортимент модулей для интеграции в RF комплексы различного назначения. Для постоянных клиентов предусмотрены индивидуальные условия сотрудничества и скидки.
























